还原处理的温度为800～1200℃，再氧化处理的温度为500～900℃。经还原处理后的陶瓷材料，绝缘电阻率可降至10～103Ω·cm，表面层的电阻率低于内部瓷体的电阻率；薄瓷片的电阻率，一般比处理条件相同的较厚瓷体的电阻率低一些。由于再氧化处理形成的表面绝缘性介质层的厚度比较薄，所以尽管其介电常数不一定很高，但是经还原再氧化处理后，该表面层半导体陶瓷电容器的单位面积容量仍可达0.05～0.06μF/cm2。
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