科启达公司恩智浦芯片收购 天津回收晶振光耦
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间
LM2576S-3.3
GRM32ER71H106KA12L
LM1086-3.3
CR-05FL7-12K1
TMS320C6201GJL200 TMS320C6201GJLA200 TMS320C6202BGNY250TMS320C6202BGNY300TMS320C6202BGNZ250 TMS320C6202BGNZ300 TMS320C6202BZNY250
RS-03FL7-0R39
XC2V1000-4FGG456C
MV78460-B0-BJR4C160
TNPW08054K12BETA
CR-05FL7--2R49
VS-60CPU03W-N3
CLH1005T-3N0S-S-NP
FRX090-60F
GLF1608T4R7M
BCW60CE6327HTSA1
RC-03K100JT
PB1034799-005
KSD301-PH-105±5℃-常闭(AC250V/10A)
TM4C1294KCPDTI3