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长期天津回收IC芯片天津模拟芯片编程IC收购

更新:2024-05-04 08:33 发布者IP:113.104.192.64 浏览:1次
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长期天津回收IC芯片天津模拟芯片编程IC收购
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长期天津回收IC芯片天津模拟芯片编程IC收购

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运放是集成在一个芯片上的晶体管放大器, 偏置电流( bias current )就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流.这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点. 因为运算放大器要求尽可能宽的共模输入电压范围, 而且都是直接耦合的,不可能在芯片上集成提供偏置电流的电流源. 所以都设计成基极开路的, 由外电路提供电流. 因为第一级偏置电流的数值都很小, uA 到nA 数量级, 所以一般运算电路的输入电阻和反馈电阻就可以提供这个电流了.而运放的偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大, 使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度.或者不能提供足够的偏置电流, 使放大器不能稳定的工作在线性范围. 如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻, 可以考虑用J-FET 输入的运放. 因为 J-FET 是电压控制器件, 其输入偏置电流参数是指输入 PN 结的反向漏电流, 数值应在 pA数量级. 同样是电压控制的还有 MOSFET 器件, 可以提供更小的输入漏电流

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另外一个有关的运放参数是输入失调电流 offset current, 是指两个差分输入端偏置电流的误差,在设计电路中也应考虑.

p=ui=Cu(du/dt),i=(dq/dt)=c*(du/dt)中的d表示微分,du/dt是表示电压u对时t的微分,可以理解为时间“微小”变化时,电压的“微小”的变化量。由于流过电容器的电流与其两端的电压有关。且电容器充放电时,其两端的电压是不断变化的。所以,流过电容器的电流等于单位时间(微小)内电容器两端累积的电荷q的变化量,表示为i=(dq/dt)。而且电容器两端累积的电荷q的变化量又反应了其两端的电压变化量:q=Cdu。因此有:i=(dq/dt)=c*(du/dt)。


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