天津中沙聚乙烯PN049-30-123LS
将所述基底上所述金属卤化物薄膜浸入所述有机卤化物溶液，所述基底背离所述金属卤化物薄膜的表面与所述有机卤化物溶液不接触。
还可以将基底上的金属卤化物薄膜浸入有机卤化物溶液，使金属卤化物薄膜与有机卤化物溶液直接、充分接触，并且基底上另一侧不与有机卤化物溶液接触，以避免另一侧被污染，可选的，可以通过对基底的局部支撑使基底上金属卤化物薄膜的一侧漂浮在有机卤化物溶液的液面，也可以对基底另一侧进行保护再将金属卤化物薄膜浸入有机卤化物溶液。
有机卤化物溶液的浓度可以根据工艺条件、金属卤化物薄膜厚度、金属卤化物薄膜孔隙率等进行设置，如金属卤化物薄膜较厚、孔隙率较低时可以提高有机卤化物溶液的浓度，其中，浓度范围可以是0.5mol/ml-0.7mol/ml，如有机卤化物溶液的浓度可以是0.5mol/ml、0.51mol/ml、0.52mol/ml、0.53mol/ml、0.54mol/ml、0.55mol/ml、0.6mol/ml、0.7mol/ml等0.5mol/ml-0.7mol/ml的任意浓度。
将所述基底上所述金属卤化物薄膜置于所述有机卤化物蒸气的气氛中，所述基底背离所述金属卤化物薄膜的表面与所述有机卤化物蒸气不接触。
在蒸镀金属卤化物薄膜的过程中，可以控制金属卤化物的沉积温度以控制金属卤化物薄膜的生长，从而使得金属卤化物薄膜的孔隙率范围在30％-60％，可选地，在沉积过程中，可以对基底温度、真空腔室的内壁温度等至少一个进行控制，以使沉积温度的范围为80℃-250℃，其中，沉积温度可以是80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、110℃、120℃、130℃、150℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃等80℃-250℃中的任意沉积温度。金属卤化物薄膜的孔隙率范围可对应参照前述步骤101的相关描述，为避免重复，在此不再赘述。
所述金属卤化物包括碘化铅、氯化铅、溴化铅、碘化铯、溴化铯、氯化铯、碘化铷中的至少一种。
金属卤化物中金属可以是铅、铯、铷中的至少一个，卤素可以是氯、溴、碘，其中，金属卤化物可以是碘化铅、氯化铅、溴化铅、碘化铯、溴化铯、氯化铯、碘化铷中的一种或两种以上混合，其中，两种以上混合时可以采用共蒸沉积。
金属卤化物薄膜的堆积密度可以基于沉积温度、蒸发速率、沉积速率等调控，其中，密度范围可以是2.2g/cm
2-5.0g/cm2；金属卤化物薄膜的厚度可以根据钙钛矿层的工艺需求设置，其中，厚度范围可以是300nm-1000nm，如金属卤化物薄膜的厚度可以是300nm、350nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、900nm、1000nm等，本发明实施例对此不作具体限制。
卤素阴离子可以包括碘离子(i-)、溴离子(br-)、氯离子(cl-)等，在接触疏松多孔的金属卤化物薄膜后，有机卤化物中的有机阳离子与卤素阴离子通过孔隙与钙钛矿充分深入交换，从而大面积制备高质量的钙钛矿薄膜，减少金属卤化物的残留。目前真空法通常采用具有相当腐蚀性、毒性的有机溶剂，腐蚀生产设备，需要设置废液处理，导致生产成本高，本发明实施例中不采用具有腐
蚀性、毒性的有机卤化物，降低了废液处理成本，避免了钙钛矿薄膜制备中的环境污染问题。
有机卤化物可以以溶液的形式与金属卤化物薄膜接触，如可以将有机卤化物按照一定浓度溶解在溶剂形成有机卤化物溶液，有机卤化物溶液可以在接触金属卤化物薄膜时向金属卤化物薄膜扩散交换，从而将金属卤化物薄膜转化为钙钛矿薄膜，在此基础上，可以采用在金属卤化物薄膜上旋涂有机卤化物溶液的方式，使有机卤化物溶液与金属卤化物薄膜接触，其中，旋涂指基于工件旋转产生的离心力及重力作用，将工件上的涂料涂覆在工件表面的过程，可以将有机卤化物溶液作为涂料在基底的金属卤化物薄膜上旋涂，此时，本领域技术人员可以根据需求选择不同的旋涂转速，以调整离心力及重力的作用效果，使得有机卤化物溶液与金属卤化物薄膜充分接触。
